N-kanal 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO251-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPU80R2K8CEBKMA1

DigiKeys produktnummer
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Produsent
Infineon Technologies
Produsentens produktnummer
IPU80R2K8CEBKMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO251-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Emballasje
Rør
Delestatus
Ikke lenger tilgjengelig hos DigiKey
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
1,9A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
2.8Ohm ved 1.1A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.9V ved 120µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
290 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
42W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO251-3
Kapsling
TO-251-3 korte ledere, IPAK, TO-251AA
Baseproduktnummer
IPU80R
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
På grunn av midlertidig begrenset forsyning, kan vi ikke akseptere restordrenotering nå. Vi kan for øyeblikket heller ikke si noe om leveringstid.