Name: IPT129N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 93.35 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPT129N20NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT129N20NM6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPT129N20NM6ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPT129N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPT129N20NM6ATMA1
Beskrivelse	TRENCH >=100V
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 3,8W (Ta), 234W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	11A (Ta), 87A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V, 15V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	12mOhm ved 65A, 15V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,5V ved 129µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	56 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3800 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,8W (Ta), 234W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOF-8-1
Kapsling	8-PowerSFN