Name: IPT012N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT012N08N5ATMA1TR-ND
Price: 84.3125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPT012N08N5ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPT012N08N5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT012N08N5ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.8V ved 280µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 223 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 17000 pF @ 40 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 375W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 80 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8-1
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 300A (Tc)	Kapsling 8-PowerSFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer IPT012
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.2mOhm ved 150A, 10V