IPN80R900P7ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 878
Enhetspris : kr 18,57000
Datablad
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN80R900P7ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IPN80R900P7ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPN80R900P7ATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
900mOhm ved 2.2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.5V ved 110µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
350 pF @ 500 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
7W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-SOT223
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.