IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies | Enkle FET-er, MOSFET-er

IPN80R900P7ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 2 853

Enhetspris : kr 17,59000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPN80R900P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPN80R900P7ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 800 V 6A (Tc) 7W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN80R900P7ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 110µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 15 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 350 pF @ 500 V
Delestatus Utdatert	Effekttap (maks) 7W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 800 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-SOT223
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 6A (Tc)	Kapsling TO-261-4, TO-261AA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPN80R900
Rds på (maks) ved Id, Vgs 900mOhm ved 2.2A, 10V