Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 9.2375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPN60R2K1CEATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPN60R2K1CEATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 3,7A (Tc) 5W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN60R2K1CEATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 60µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 6.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 140 pF @ 100 V
Delestatus Ikke for nye utførelser	Effekttap (maks) 5W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 600 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-SOT223-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 3,7A (Tc)	Kapsling TO-261-4, TO-261AA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPN60R2
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.1Ohm ved 800mA, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 68 814

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Ikke anbefalt for nye design/konstruksjoner, minimumsnivåer kan gjelde.

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)