Name: IPG20N10S4L35AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND
Price: 24.875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPG20N10S4L35AATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPG20N10S4L35AATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPG20N10S4L35AATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPG20N10S4L35AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPG20N10S4L35AATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 100V 20A 43W Overflatemontering, Fuktbar side PG-TDSON-8-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPG20N10S4L35AATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	Logikknivåport
Drain til Source-spenning	100V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A
Rds på (maks) ved Id, Vgs	35mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.1V ved 16µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	17.4nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1105pF ved 25V
Effekt - maks	43W
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering, Fuktbar side
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-10
Baseproduktnummer	IPG20N