Name: IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND
Price: 34.85 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPG20N10S4L22ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPG20N10S4L22ATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	35 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 100V 20A 60W Overflatemontering PG-TDSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPG20N10S4L22ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Vgs(th) (maks) ved Id 2.1V ved 25µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 27nC ved 10V
Serie OptiMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1755pF ved 25V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekt - maks 60W
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Grad Bilteknikk
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Godkjenning AEC-Q101
FET-egenskap Logikknivåport	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100V	Kapsling 8-PowerVDFN
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 20A	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-4
Rds på (maks) ved Id, Vgs 22mOhm ved 17A, 10V	Baseproduktnummer IPG20N