Name: IPG20N06S2L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND
Price: 24.25 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPG20N06S2L35ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPG20N06S2L35ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPG20N06S2L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPG20N06S2L35ATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 55V 20A 65W Overflatemontering PG-TDSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPG20N06S2L35ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	Logikknivåport
Drain til Source-spenning	55V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A
Rds på (maks) ved Id, Vgs	35mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 27µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	23nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	790pF ved 25V
Effekt - maks	65W
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-4
Baseproduktnummer	IPG20N