Name: IPG20N04S4L18AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N04S4L18AATMA1TR-ND
Price: 18.0875 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPG20N04S4L18AATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPG20N04S4L18AATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPG20N04S4L18AATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPG20N04S4L18AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPG20N04S4L18AATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 20A (Tc) 26W (Tc) Overflatemontering, Fuktbar side PG-TDSON-8-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPG20N04S4L18AATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ T2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	18mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 8µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	15nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1071pF ved 25V
Effekt - maks	26W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering, Fuktbar side
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-10
Baseproduktnummer	IPG20N