IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPG20N04S408AATMA1
DigiKeys produktnummer	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPG20N04S408AATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 20A 65W Overflatemontering, Fuktbar side PG-TDSON-8-10
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)
Delestatus	Utdatert
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7.6mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 30µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	36nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2940pF ved 25V
Effekt - maks	65W
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering, Fuktbar side
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-10
Baseproduktnummer	IPG20N