IPD65R950CFDATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 2 094
Enhetspris : kr 16,37000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 19,55000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 68
Enhetspris : kr 19,83000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 339
Enhetspris : kr 45,28000
Datablad
N-kanal 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

DigiKeys produktnummer
IPD65R950CFDATMA1-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPD65R950CFDATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
950mOhm ved 1.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4.5V ved 200µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
14.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
380 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
36,7W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO252-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.