Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 28.3 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD65R660CFDAATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD65R660CFDAATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	29 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD65R660CFDAATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 20 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie CoolMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 543 pF @ 100 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 62,5W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 6A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Rds på (maks) ved Id, Vgs 660mOhm ved 3.22A, 10V	Baseproduktnummer IPD65R660
Vgs(th) (maks) ved Id 4.5V ved 214.55µA