Name: IPD65R420CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND
Price: 33.55 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD65R420CFDAATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD65R420CFDAATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPD65R420CFDAATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPD65R420CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD65R420CFDAATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 8,7A (Tc) 83,3W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD65R420CFDAATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	8,7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	420mOhm ved 3.4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.5V ved 345µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	32 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	870 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	83,3W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD65R420