IPD640N06LGBTMA1
DigiKeys produktnummer	IPD640N06LGBTMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD640N06LGBTMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 18A (Tc) 47W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD640N06LGBTMA1 Modeller

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 16µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 13 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 470 pF @ 30 V
Delestatus Utdatert	Effekttap (maks) 47W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Tc)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer IPD640
Rds på (maks) ved Id, Vgs 64mOhm ved 18A, 10V

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
AOD444	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	67 358	785-1108-1-ND	kr 10,85000	Similar
DMN6068LK3-13	Diodes Incorporated	0	DMN6068LK3-13DICT-ND	kr 9,26000	Similar
NTD18N06LT4G	onsemi	17 512	NTD18N06LT4GOSCT-ND	kr 17,21000	Similar
RFD12N06RLESM9A	onsemi	4 483	RFD12N06RLESM9ACT-ND	kr 16,18000	Similar
STD16NF06LT4	STMicroelectronics	11 925	497-4329-1-ND	kr 16,65000	Similar

IPD640N06LGBTMA1