Name: IPD60R280P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R280P7SAUMA1TR-ND
Price: 20.925 NOK
Availability: OutOfStock

IPD60R280P7SAUMA1 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 2 145

Enhetspris : kr 24,53000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 0

Enhetspris : kr 30,40000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD60R280P7SAUMA1
DigiKeys produktnummer	IPD60R280P7SAUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD60R280P7SAUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD60R280P7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD60R280P7SAUMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	35 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60R280P7SAUMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	280mOhm ved 3.8A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 190µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	18 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	761 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	53W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD60R