Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 25.6125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD60N10S4L12ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60N10S4L12ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 49 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±16V
Serie HEXFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3170 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 94W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 60A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3-313
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Rds på (maks) ved Id, Vgs 12mOhm ved 60A, 10V	Baseproduktnummer IPD60N10
Vgs(th) (maks) ved Id 2.1V ved 46µA