Name: IPD35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 27.7625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD35N10S3L26ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD35N10S3L26ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD35N10S3L26ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-11
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD35N10S3L26ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	35A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	24mOhm ved 35A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.4V ved 39µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	39 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2700 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	71W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3-11
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD35N10