Name: IPD30N03S4L09ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND
Price: 14.85 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD30N03S4L09ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD30N03S4L09ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD30N03S4L09ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 30A (Tc) 42W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-11
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD30N03S4L09ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 20 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±16V
Serie OptiMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1520 pF @ 15 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 42W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 30 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 30A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3-11
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Rds på (maks) ved Id, Vgs 9mOhm ved 30A, 10V	Baseproduktnummer IPD30N03
Vgs(th) (maks) ved Id 2.2V ved 13µA

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 20 684

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)