Name: IPC50N04S5L5R5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S5L5R5ATMA1TR-ND
Price: 16.5875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPC50N04S5L5R5ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPC50N04S5L5R5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPC50N04S5L5R5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPC50N04S5L5R5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-33
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPC50N04S5L5R5ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5.5mOhm ved 25A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 13µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	23 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1209 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	42W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-33
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	IPC50N