Name: IPC100N04S51R2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND
Price: 32.2875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPC100N04S51R2ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPC100N04S51R2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPC100N04S51R2ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-34
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPC100N04S51R2ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke for nye utførelser
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.2mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.4V ved 90µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	131 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7650 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-34
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	IPC100