Name: IPBE65R050CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R050CFD7AATMA1TR-ND
Price: 107.8 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPBE65R050CFD7AATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPBE65R050CFD7AATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPBE65R050CFD7AATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPBE65R050CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPBE65R050CFD7AATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 45A TO263-7
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-3-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPBE65R050CFD7AATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	45A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	50mOhm ved 24,8A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,5V ved 1,24mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	102 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4975 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	227W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-7-3-10
Kapsling	TO-263-7, D2PAK (6 ledere + plate), TO-263CB
Baseproduktnummer	IPBE65