IPB80N08S2L07ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 1 956
Enhetspris : kr 18,39000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 400
Enhetspris : kr 40,10000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 627
Enhetspris : kr 37,99000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 9 351
Enhetspris : kr 21,01000
Datablad

Direkte


STMicroelectronics
På lager: 1 312
Enhetspris : kr 37,79000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 1 384
Enhetspris : kr 30,35000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 308
Enhetspris : kr 44,73000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 14,34780
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 1 085
Enhetspris : kr 47,44000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 2 617
Enhetspris : kr 47,54000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 2 385
Enhetspris : kr 40,51000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 21,45420
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 812
Enhetspris : kr 31,36000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 257
Enhetspris : kr 24,02000
Datablad
N-kanal 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB80N08S2L07ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB80N08S2L07ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
IPB80N08S2L07ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
IPB80N08S2L07ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB80N08S2L07ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB80N08S2L07ATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
75 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
6.8mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
233 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
5400 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
300W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3-2
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.