Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 53.65 NOK
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

STMicroelectronics

På lager: 843

Enhetspris : kr 56,19000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB80N06S2H5ATMA2
DigiKeys produktnummer	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Tape og spole (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB80N06S2H5ATMA2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB80N06S2H5ATMA2 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	55 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	80A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5.2mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 230µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	155 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4400 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	300W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3-2
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB80N