IPB80N06S208ATMA2 Infineon Technologies | Enkle FET-er, MOSFET-er

IPB80N06S208ATMA2 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhetspris : kr 25,90263

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 1 573

Enhetspris : kr 37,42000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB80N06S208ATMA2
DigiKeys produktnummer	IPB80N06S208ATMA2-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB80N06S208ATMA2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB80N06S208ATMA2 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 96 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie OptiMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2860 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR)	Effekttap (maks) 215W (Tc)
Delestatus Utdatert	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 55 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 80A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Rds på (maks) ved Id, Vgs 7.7mOhm ved 58A, 10V	Baseproduktnummer IPB80N
Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 150µA