Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 54.65 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IPB65R190CFDAATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB65R190CFDAATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 17,5A (Tc) 151W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB65R190CFDAATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	17,5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	190mOhm ved 7.3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.5V ved 700µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	68 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1850 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	151W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB65R190

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 43,72000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 54,65000

IPB65R190CFDAATMA1