IPB65R125C7ATMA1 er ikke på lager, restordrenotering er for øyeblikket ikke tilgjengelig.
Tilgjengelige erstatninger:

Direkte


Infineon Technologies
På lager: 1 526
Enhetspris : kr 53,20000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 60
Enhetspris : kr 46,08000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 220
Enhetspris : kr 74,08000
Datablad
N-kanal 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R125C7ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB65R125C7ATMA1-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB65R125C7ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Ikke lenger tilgjengelig hos DigiKey
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
125mOhm ved 8.9A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 440µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1670 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
101W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
På grunn av midlertidig begrenset forsyning, kan vi ikke akseptere restordrenotering nå. Vi kan for øyeblikket heller ikke si noe om leveringstid. Vis Erstatninger.