IPB60R190P6ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Infineon Technologies
På lager: 2 045
Enhetspris : kr 28,00000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 811
Enhetspris : kr 45,80000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 48,49000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 19,24160
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 589
Enhetspris : kr 46,76000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 3 314
Enhetspris : kr 41,56000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 17,62050
Datablad
N-kanal 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R190P6ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB60R190P6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB60R190P6ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 600 V 20,2A (Tc) 151W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
190mOhm ved 7.6A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4.5V ved 630µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1750 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
151W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.