Name: IPB60R120P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R120P7ATMA1TR-ND
Price: 56.4875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB60R120P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB60R120P7ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB60R120P7ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB60R120P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB60R120P7ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 26A (Tc) 95W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB60R120P7ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 410µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 36 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1544 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 95W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 600 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 26A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPB60R120
Rds på (maks) ved Id, Vgs 120mOhm ved 8.2A, 10V