Name: IPB180N04S4H0ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB180N04S4H0ATMA1TR-ND
Price: 50.6375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB180N04S4H0ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB180N04S4H0ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB180N04S4H0ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB180N04S4H0ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB180N04S4H0ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 225 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie OptiMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 17940 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 250W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 40 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 180A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-263-7, D2PAK (6 ledere + plate)
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.1mOhm ved 100A, 10V	Baseproduktnummer IPB180
Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 180µA