Name: IPB17N25S3100ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB17N25S3100ATMA1TR-ND
Price: 38.7 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IPB17N25S3100ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB17N25S3100ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPB17N25S3100ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPB17N25S3100ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB17N25S3100ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB17N25S3100ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	250 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	17A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	100mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 54µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	19 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1500 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	107W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3-2
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB17N25

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1 000	kr 10,09814	kr 10 098,14
2 000	kr 9,53840	kr 19 076,80

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 30,96000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 38,70000

IPB17N25S3100ATMA1