Name: IPB120N10S405ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120N10S405ATMA1TR-ND
Price: 49.375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB120N10S405ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPB120N10S405ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPB120N10S405ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPB120N10S405ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB120N10S405ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB120N10S405ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	120A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 120µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	91 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6540 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	190W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB120