IPB100N08S2L07ATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 1 956
Enhetspris : kr 18,39000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 921
Enhetspris : kr 28,04000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 627
Enhetspris : kr 37,99000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 14,34780
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 4 212
Enhetspris : kr 36,79000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 812
Enhetspris : kr 31,36000
Datablad
N-kanal 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB100N08S2L07ATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB100N08S2L07ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB100N08S2L07ATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
75 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
6.5mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
246 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
5400 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
300W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3-2
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Markedsplass-lagervare: 425 vis nå
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.

Other Suppliers on DigiKey

425På lager
Sendes fra # VALUE1#