Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 35.3125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB100N04S4H2ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB100N04S4H2ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB100N04S4H2ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 90 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie OptiMOS™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 7180 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 115W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 40 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 100A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.4mOhm ved 100A, 10V	Baseproduktnummer IPB100
Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 70µA