IPB054N08N3GATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB054N08N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB054N08N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB054N08N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB054N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB054N08N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB054N08N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	80A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5.4mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 90µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	69 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4750 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB054