IPB054N06N3GATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 3 077
Enhetspris : kr 21,26000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 1 736
Enhetspris : kr 32,42000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 2 011
Enhetspris : kr 24,92000
Datablad

Direkte


onsemi
På lager: 1 431
Enhetspris : kr 32,13000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 1 206
Enhetspris : kr 29,05000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 183
Enhetspris : kr 43,39000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 594
Enhetspris : kr 29,05000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 5 303
Enhetspris : kr 25,21000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 2 520
Enhetspris : kr 41,95000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 5 155
Enhetspris : kr 38,77000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 21,04870
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 530
Enhetspris : kr 27,52000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 2 352
Enhetspris : kr 34,92000
Datablad
N-kanal 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB054N06N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB054N06N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
IPB054N06N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
IPB054N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB054N06N3GATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB054N06N3GATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
5.4mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 58µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
82 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
6600 pF @ 30 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
115W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.