IPB049NE7N3GATMA1 Infineon Technologies | Enkle FET-er, MOSFET-er

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB049NE7N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB049NE7N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB049NE7N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.8V ved 91µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 68 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4750 pF @ 37.5 V
Delestatus Utdatert	Effekttap (maks) 150W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 75 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 80A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPB049
Rds på (maks) ved Id, Vgs 4.9mOhm ved 80A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

Erstatninger (10)

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
IRF2907ZSTRLPBF	Infineon Technologies	8 966	IRF2907ZSTRLPBFCT-ND	kr 45,65000	Similar
IRFS3207TRLPBF	Infineon Technologies	5 386	IRFS3207TRLPBFCT-ND	kr 42,29000	Similar
IRFS3607TRLPBF	Infineon Technologies	0	IRFS3607TRLPBFCT-ND	kr 20,96000	Similar
FDB045AN08A0	onsemi	294	FDB045AN08A0CT-ND	kr 47,24000	Similar
FDB060AN08A0	onsemi	2 417	FDB060AN08A0CT-ND	kr 47,43000	Similar