Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 64.0875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB038N12N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB038N12N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB038N12N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 270µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 211 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 13800 pF @ 60 V
Delestatus Ikke for nye utførelser	Effekttap (maks) 300W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 120 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 120A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPB038
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.8mOhm ved 100A, 10V