IPA65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPA65R420CFDXKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

På lager: 199

Enhetspris : kr 32,67000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 52

Enhetspris : kr 37,79000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 49

Enhetspris : kr 23,72000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 32

Enhetspris : kr 25,93000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPA65R420CFDXKSA1
DigiKeys produktnummer	IPA65R420CFDXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPA65R420CFDXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 8,7A (Tc) 31,2W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO220-3-111
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	8,7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	420mOhm ved 3.4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.5V ved 340µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	32 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	870 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	31,2W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO220-3-111
Kapsling	TO-220-3 full pakke
Baseproduktnummer	IPA65R420