IPA50R199CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPA50R199CPXKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 782

Enhetspris : kr 25,53000

Direkte

onsemi

På lager: 4 537

Enhetspris : kr 40,30000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhetspris : kr 59,10000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 900

Enhetspris : kr 33,47000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 1 411

Enhetspris : kr 76,19000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPA50R199CPXKSA1
DigiKeys produktnummer	IPA50R199CPXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPA50R199CPXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 500V 17A TO220-FP
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 500 V 17A (Tc) 139W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO220-3-31
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPA50R199CPXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	500 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	17A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	199mOhm ved 9.9A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 660µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	45 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1800 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	139W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO220-3-31
Kapsling	TO-220-3 full pakke
Baseproduktnummer	IPA50R199