N-kanal 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-U02
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZA75R008M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Produsent
Infineon Technologies
Produsentens produktnummer
IMZA75R008M1HXKSA1
Beskrivelse
SILICON CARBIDE MOSFET
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-U02
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZA75R008M1HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™
Emballasje
Rør
Delestatus
Ikke for nye utførelser
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
750 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
163A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
7,2mOhm ved 90,3A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,6V ved 32,4mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
178 nC @ 500 V
Vgs (maks)
+23V, -5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
6137 pF @ 500 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
517W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-4-U02
Kapsling
TO-247-4
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
Be om lagervarsel
Ikke anbefalt for nye design/konstruksjoner, minimumsnivåer kan gjelde.
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 336,63000kr 336,63
30kr 222,23400kr 6 667,02
120kr 220,41733kr 26 450,08
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 336,63000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 420,78750
1 Varer
SCT4013DRC15

SCT4013DRC15

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

kr 334,71000