Name: IMZA65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R048M1HXKSA1-ND
Price: 114.5875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZA65R048M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R048M1HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMZA65R048M1HXKSA1
Beskrivelse	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZA65R048M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	39A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	64mOhm ved 20,1A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,7V ved 6mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	33 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1118 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO247-4-3
Kapsling	TO-247-4
Baseproduktnummer	IMZA65

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 219

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 91,67000	kr 91,67
30	kr 53,97400	kr 1 619,22
120	kr 45,69100	kr 5 482,92
510	kr 42,67280	kr 21 763,13

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.