N-kanal 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-41
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW65R039M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMW65R039M1HXKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IMW65R039M1HXKSA1
Beskrivelse
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-41
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMW65R039M1HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Ikke for nye utførelser
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
50mOhm ved 25A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,7V ved 7,5mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
41 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+20V, -2V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1393 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
176W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-3-41
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
Be om lagervarsel
Ikke anbefalt for nye design/konstruksjoner, minimumsnivåer kan gjelde.
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 97,94000kr 97,94
30kr 58,01033kr 1 740,31
120kr 49,25450kr 5 910,54
510kr 45,29963kr 23 102,81
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 97,94000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 122,42500