Name: IMW65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Price: 418.1875 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-U06

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW65R007M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMW65R007M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-U06
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW65R007M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 6,1mOhm ved 146,3A, 20V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 29,7mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 179 nC @ 18 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6359 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 625W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 171A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-3-U06
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Kapsling TO-247-3

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 0

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 334,55000	kr 334,55
30	kr 216,97733	kr 6 509,32
120	kr 191,28700	kr 22 954,44
510	kr 172,49743	kr 87 973,69

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.