Name: IMW120R040M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Price: 187.575 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW120R040M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW120R040M1HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMW120R040M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Produsentens standard leveringstid	54 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 55A (Tc) 227W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW120R040M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 54,4mOhm ved 19,3A, 18V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,2Vved 10mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 51 nC @ 18 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) +20V, -5V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1620 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 227W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 1200 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 55A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 18V	Kapsling TO-247-3

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 0

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 150,06000	kr 150,06
30	kr 90,66233	kr 2 719,87
120	kr 77,65525	kr 9 318,63
510	kr 68,13282	kr 34 747,74
1 020	kr 64,66154	kr 65 954,77

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.