Name: IMTA65R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R060M2HXTMA1TR-ND
Price: 74.125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMTA65R060M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMTA65R060M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMTA65R060M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMTA65R060M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMTA65R060M2HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 37A (Tc) 165W (Tc)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMTA65R060M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	37A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	55mOhm ved 15,4A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,6V ved 3,1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	18 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	669 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	165W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	-
Leverandørens enhetsforpakning	-
Kapsling	-