Name: IMTA65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 153.1875 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 79A (Tc) 357W (Tc) Overflatemontering PG-LHSOF-4-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMTA65R026M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMTA65R026M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMTA65R026M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMTA65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMTA65R026M2HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 79A (Tc) 357W (Tc) Overflatemontering PG-LHSOF-4-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 24mOhm ved 34,5A, 20V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 7mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 42 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1499 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 357W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 79A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-LHSOF-4-1
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Kapsling 4-PowerLSFN