Name: IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Price: 70.4875 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMT65R075M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT65R075M2HXUMA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMT65R075M2HXUMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 650V 30A LHSOF-4
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 30A (Tc) 141W (Tc) Overflatemontering PG-LHSOF-4-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	95mOhm ved 11,9A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,6V ved 2,4mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	14.9 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	516 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	141W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-LHSOF-4-1
Kapsling	4-PowerLSFN
Baseproduktnummer	IMT65R075

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 000

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 56,39000	kr 56,39
10	kr 37,61100	kr 376,11
100	kr 26,99100	kr 2 699,10
500	kr 22,46218	kr 11 231,09
1 000	kr 21,45637	kr 21 456,37

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.