Name: IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 189.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMT40R011M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMT40R011M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMT40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMT40R011M2HXTMA1
Beskrivelse	SIC-MOS
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 400 V 13,4A (Ta), 144A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMT40R011M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	400 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	13,4A (Ta), 144A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	14,4mOhm ved 37,1A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5.6V ved 13.3mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	85 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3770 pF @ 200 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,8W (Ta), 429W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOF-8-2
Kapsling	8-PowerSFN