Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 279.25 NOK
Availability: InStock

MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-16-221

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Beskrivelse	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Produsentens standard leveringstid	39 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-16-221
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 26mOhm ved 27A, 18V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,1V ved 8,6mA
Serie CoolSiC™ G2	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 54nC ved 0V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1990pF ved 800V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 410W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Konfigurasjon 2 N-kanal (halv bro)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 1200V (1,2kV)	Kapsling 24-BSOP (0,606", 15,40mm bredde), 16 ledninger, eksponert plate
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 83A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HDSOP-16-221